在硅材料領(lǐng)域，有眾多優(yōu)秀的學(xué)術(shù)期刊可供研究人員參考和發(fā)表成果，在這里分享了5 本 SCI 期刊和 5 本北大核心期刊，以及一些有參考價(jià)值的文獻(xiàn)，各位作者可作為參考：

　　一、硅材料方向sci核心期刊推薦：

　　《Silicon》是一本專注于硅材料研究的國際優(yōu)秀學(xué)術(shù)雜志，涵蓋了無機(jī)和有機(jī)化學(xué)、物理學(xué)、生物學(xué)、工程學(xué)等多領(lǐng)域中硅基材料的研究，包括半導(dǎo)體、聚合物、復(fù)合材料等。在中科院分區(qū)表 2023 年 12 月升級(jí)版中被歸類為大類學(xué)科分區(qū) 3 區(qū)，JCR 分區(qū)為 Q3，CiteScore 指數(shù)達(dá)到 5.9。

　　《Journal of Applied Physics》該期刊在應(yīng)用物理領(lǐng)域具有很高的影響力，經(jīng)常發(fā)表關(guān)于硅材料的電學(xué)、光學(xué)等物理性質(zhì)以及在器件應(yīng)用方面的高質(zhì)量研究論文。

　　《Materials Science and Engineering: B》涵蓋了材料科學(xué)與工程領(lǐng)域的廣泛主題，包括硅材料的制備、性能、加工和應(yīng)用等方面的研究，是材料科學(xué)領(lǐng)域的重要期刊之一。

　　《Journal of Materials Chemistry C》主要關(guān)注材料化學(xué)領(lǐng)域，特別是與能源、電子和光學(xué)相關(guān)的材料研究，經(jīng)常刊登硅基材料在能源存儲(chǔ)、光電器件等方面的創(chuàng)新研究成果。

　　《Semiconductor Science and Technology》專注于半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域，發(fā)表關(guān)于硅等半導(dǎo)體材料的物理、材料制備、器件工藝等方面的前沿研究成果，是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究人員的重要參考期刊。

　　二、硅材料方向國內(nèi)北大核心期刊：

　　《有機(jī)硅材料》重點(diǎn)報(bào)道國內(nèi)外有機(jī)硅方面的新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品及有機(jī)硅產(chǎn)品的新應(yīng)用等，設(shè)有研究開發(fā)、分析測(cè)試、產(chǎn)品應(yīng)用等欄目，是了解國內(nèi)外有機(jī)硅行業(yè)最新技術(shù)進(jìn)展的重要窗口，是中國科技論文統(tǒng)計(jì)源期刊等。

　　《功能材料》涵蓋了各類功能材料的研究，包括硅基功能材料。涉及材料的制備、性能、應(yīng)用等多個(gè)方面，在材料科學(xué)領(lǐng)域具有較高的影響力，被北大核心、EI 等多個(gè)數(shù)據(jù)庫收錄。

　　《材料導(dǎo)報(bào)》是中國材料研究領(lǐng)域的重要期刊之一，報(bào)道材料科學(xué)與工程領(lǐng)域的最新研究成果和前沿進(jìn)展，包括硅材料的研究進(jìn)展、制備技術(shù)、性能研究及應(yīng)用等，為材料研究人員提供了一個(gè)交流和展示的平臺(tái)。

　　《硅酸鹽學(xué)報(bào)》主要刊載硅酸鹽領(lǐng)域的基礎(chǔ)理論和應(yīng)用研究論文，涵蓋了水泥、陶瓷、玻璃、耐火材料等多個(gè)方面，硅材料在這些領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，因此該期刊也會(huì)接收相關(guān)的高質(zhì)量研究論文，在硅酸鹽材料研究領(lǐng)域具有權(quán)威性和影響力。

　　《半導(dǎo)體技術(shù)》主要報(bào)道半導(dǎo)體材料、器件、工藝、電路等方面的研究成果和技術(shù)進(jìn)展，硅作為重要的半導(dǎo)體材料，在該期刊上有大量相關(guān)的研究論文發(fā)表，是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究人員的重要參考期刊之一，對(duì)推動(dòng)我國半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展起到了重要作用。

　　三、硅材料方向具有參考價(jià)值的論文文獻(xiàn)：

　　1、《磷 / 硼共摻雜納米硅的微觀結(jié)構(gòu)與光電性質(zhì)》

　　作者：李東珂、陳佳明、孫騰等。

　　期刊：《人工晶體學(xué)報(bào)》2022 年第 51 卷第 1 期。

　　摘要：采用化學(xué)氣相沉積法制備了磷 / 硼共摻雜納米硅，通過 X 射線衍射儀、高分辨透射電子顯微鏡、拉曼光譜儀和光致發(fā)光光譜儀等對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，磷 / 硼共摻雜納米硅具有良好的結(jié)晶性和較小的晶粒尺寸，其光致發(fā)光光譜在可見光區(qū)域有較強(qiáng)的發(fā)射峰，且發(fā)光強(qiáng)度和峰位隨摻雜濃度的變化而變化。

　　2、《tfsi 鈍化晶體硅表面性質(zhì)的第一性原理研究》

　　作者：魏麗靜、孟子杰、郭建新。

　　期刊：《人工晶體學(xué)報(bào)》2022 年第 51 卷第 1 期。

　　摘要：利用第一性原理計(jì)算方法研究了 tfsi 鈍化晶體硅表面的性質(zhì)。結(jié)果表明，tfsi 分子在晶體硅表面的吸附能較大，能夠穩(wěn)定地吸附在表面上。tfsi 鈍化后的晶體硅表面態(tài)密度明顯降低，費(fèi)米能級(jí)向?qū)�帶移�?dòng)，表面功函數(shù)增大，從而提高了晶體硅表面的穩(wěn)定性和電學(xué)性能。

　　3、《超薄多晶硅的摻雜、鈍化及光伏特性研究》

　　作者：宋志成、楊露、張春福等。

　　期刊：《人工晶體學(xué)報(bào)》2022 年第 51 卷第 3 期。

　　摘要：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備了超薄多晶硅薄膜，研究了不同摻雜濃度和鈍化處理對(duì)其光伏特性的影響。結(jié)果表明，適當(dāng)?shù)膿诫s濃度可以提高超薄多晶硅的電導(dǎo)率和載流子遷移率，而鈍化處理可以有效降低表面復(fù)合速率，提高開路電壓和短路電流密度，從而顯著改善其光伏特性。

　　4、《硅灰制備硅 / 碳化硅納米復(fù)合材料及其儲(chǔ)鋰性能研究》

　　作者：暫無。

　　期刊：暫無。

　　摘要：采用熔鹽輔助鎂熱還原法，以工業(yè)固體廢棄物硅灰為原料制備了硅 / 碳化硅納米復(fù)合材料。研究表明，該材料在鋰離子電池負(fù)極領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用潛力，其碳元素在制備過程中發(fā)揮了積極作用，所制備的材料表現(xiàn)出較好的循環(huán)性能和倍率性能。

　　5、《基于貝葉斯參數(shù)優(yōu)化的無模型自適應(yīng)硅單晶直徑控制》

　　作者：林光偉、王珊、張西亞等。

　　期刊：《人工晶體學(xué)報(bào)》2022 年第 51 卷第 2 期。

　　摘要：針對(duì)直拉法硅單晶生長過程中直徑控制的難題，提出了一種基于貝葉斯參數(shù)優(yōu)化的無模型自適應(yīng)控制方法。該方法通過在線估計(jì)系統(tǒng)的未知參數(shù)，實(shí)時(shí)調(diào)整控制器的參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)硅單晶直徑的精確控制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法具有良好的控制性能和魯棒性，能夠有效提高硅單晶的生長質(zhì)量和生產(chǎn)效率。

　　以上就是分享的硅材料領(lǐng)域期刊和文獻(xiàn)，希望廣大研究人員能夠充分利用這些資源，不斷探索硅材料的奧秘，推動(dòng)硅材料在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。