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高低溫環(huán)境下對(duì)電力電子技術(shù)產(chǎn)生的影響

時(shí)間:2017年11月29日 分類:電子論文 次數(shù):

如今,電力電子學(xué)已經(jīng)逐漸應(yīng)用到了各行各業(yè),同時(shí)還包括了一些新技術(shù),比如高溫環(huán)境下出現(xiàn)的新型碳化硅電力電子器件,這些器件冷卻時(shí)間較短,模塊功率和散熱模塊相對(duì)復(fù)雜,因此,很多專家對(duì)于低溫環(huán)境下的電力電子技術(shù)和高溫超導(dǎo)技術(shù)展開了分析,為極限溫度

  如今,電力電子學(xué)已經(jīng)逐漸應(yīng)用到了各行各業(yè),同時(shí)還包括了一些新技術(shù),比如高溫環(huán)境下出現(xiàn)的新型碳化硅電力電子器件,這些器件冷卻時(shí)間較短,模塊功率和散熱模塊相對(duì)復(fù)雜,因此,很多專家對(duì)于低溫環(huán)境下的電力電子技術(shù)和高溫超導(dǎo)技術(shù)展開了分析,為極限溫度下的電力電子技術(shù)發(fā)展趨勢展開了深入研究。

  關(guān)鍵詞:電力電子技術(shù),極限溫度,碳化硅

  1 高低溫下的功率電路器件

  從目前的角度來看,大部分電力電子設(shè)備在100攝氏度以內(nèi)進(jìn)行工作,大部分電路元件和電路結(jié)構(gòu)需要控制在一定范圍內(nèi),當(dāng)工作溫度過高或者過低時(shí),各個(gè)元件的特性都會(huì)出現(xiàn)新的變化,電路會(huì)出現(xiàn)新的變化,因此在討論技術(shù)之前,我們需要對(duì)電力電路中的一些器件進(jìn)行研究分析,在低溫情況下的表現(xiàn)給出相應(yīng)分析。

  從目前的角度來看,電力電子中標(biāo)志是目前最主要的器件,這些器件會(huì)受到溫度的影響,如果高頻電子電路中出現(xiàn)了MOSFET,我們可以說這種溫度系統(tǒng)相對(duì)比較正常,如果器件溫度越高,電阻通態(tài)也會(huì)隨著增加,正溫度系數(shù)能夠減少熱件中的電流,導(dǎo)致電流會(huì)以低溫的形式流向各個(gè)器件當(dāng)中,避免由于溫度過高,導(dǎo)致器件失控,從MOSFET中能夠看出,該器件具有負(fù)溫度系數(shù),采用并聯(lián)單位結(jié)構(gòu),需要解決可靠性問題。

  電感、變壓器是電子裝置中主要的元件。按照傳統(tǒng)角度思想來分析,大部分電磁元件體積相對(duì)較大,在元件運(yùn)行中會(huì)發(fā)熱,因此電路設(shè)計(jì)經(jīng)常出現(xiàn)短路問題,會(huì)根據(jù)散熱條件的具體情況,適當(dāng)增加繞線中的電流,電感和變壓器所產(chǎn)生的熱量也會(huì)增大。一旦磁鐵的材料溫度得到了一個(gè)提高,那么鐵磁材料會(huì)轉(zhuǎn)化成一種弱磁性物質(zhì),可以把轉(zhuǎn)化的溫度當(dāng)做居里點(diǎn)。按照磁鐵相關(guān)理論,一旦溫度升高,超過原有的居里點(diǎn),那么鐵磁材料磁疇在運(yùn)動(dòng)過程中會(huì)出現(xiàn)破壞現(xiàn)象,導(dǎo)致整個(gè)電腦完全被破壞,這個(gè)時(shí)候鐵磁物質(zhì)轉(zhuǎn)化成磁導(dǎo),并且磁性相對(duì)較強(qiáng),磁性會(huì)始終保持不變。

  所以磁性元件的設(shè)計(jì)制造顯得相對(duì)比較重要,并沒有體積過小,重量較輕耐溫高的鐵磁元件,一般新型開關(guān)器件的作用是不能夠完全表現(xiàn)出來的。很多地區(qū)或者廠家選擇使用磁性元件,是因?yàn)樵撛ぷ鳒囟纫话闱闆r下不超過100攝氏度,在極為特殊情況下可能會(huì)達(dá)到150攝氏度。為了能夠更好的提高這一溫度指標(biāo),世界各地對(duì)該工作溫度做出了詳細(xì)研究。同時(shí)美國空軍也制處1.5kW,可以在超過300攝氏度溫度環(huán)境下運(yùn)行超過600小時(shí)時(shí)間,這完全依靠變換器中的變壓器。這種變壓器一般會(huì)采用居里溫度超過300攝氏度以上的錳新材料,經(jīng)過反復(fù)仿真,把這種變壓器投入到市場當(dāng)中。

  2 SIC器件及其應(yīng)用

  經(jīng)過最近這些年的研究,發(fā)現(xiàn)硅器件是基礎(chǔ)的電力電子技術(shù),該元件一直不斷改進(jìn)當(dāng)中,更應(yīng)該降低通態(tài)和開關(guān)損耗,提高工作頻率和器件的集成。從目前的角度來看,硅器件的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)相對(duì)比較完善,在高溫度情況下,其發(fā)展?jié)摿σ彩钟邢蕖?/p>

  SIC電力電子器件的誕生主要是因?yàn)樘己凸柚g的組合,所以SIC器件會(huì)對(duì)電場進(jìn)行10倍的擊穿,而且導(dǎo)熱性是其3倍,這讓SIC器件具有更高的性能,擊穿場強(qiáng)能夠幫助電力器件摻雜更多更薄,濃度更大的電子產(chǎn)物,這恰恰降低了通態(tài)電阻的性能,同時(shí)也減少了電阻的消耗,還可以提高器件工作頻率。我們發(fā)現(xiàn)導(dǎo)熱性能夠讓SIC器件在固定溫度情況下得到比較高的開關(guān)的容量。另外,該材料的溫度最高可以達(dá)到600攝氏度。這些特定內(nèi)容都決定了SIC器件能夠在電子技術(shù)中的應(yīng)用價(jià)值,電力電子器件在發(fā)展過程中,功率頻率可以更好的反映處器件水平的研究進(jìn)展,以及使用狀態(tài)。SIC材料在很多種電子器件中都得到了明顯應(yīng)用。

  3 新型冷卻和散熱技術(shù)

  隨著目前電力電元容量逐漸增加,從中能看出頻率也會(huì)出現(xiàn)一定變動(dòng),導(dǎo)致器件中的問題展現(xiàn)的比較明顯,尤其是在溫度比較高的情況下,沒有合適的散熱措施,那么很有可能會(huì)導(dǎo)致器件上出現(xiàn)了一些損傷,所以對(duì)于電路設(shè)計(jì),合理選擇冷卻或更好的散熱方式來進(jìn)行設(shè)計(jì),應(yīng)該把潛能發(fā)到頂點(diǎn),這是目前我們目前必須完成的任務(wù),對(duì)于電力設(shè)備器件應(yīng)該按照傳熱學(xué)原理制作,是為了能夠更好的設(shè)計(jì)一種熱阻,盡可能的降低熱流通路,讓器件在發(fā)出熱量的時(shí)候把熱流散發(fā)出去,當(dāng)保證器件運(yùn)行時(shí),內(nèi)部溫度始終都保持在穩(wěn)定范圍內(nèi)。

  按照長期的打算,可以根據(jù)空氣制冷的原理,來制定一套簡單便捷方式進(jìn)行實(shí)施,這種方法使用起來相對(duì)比較廣泛,如果仔細(xì)觀察冷卻形式,能夠看出空氣冷卻是一種自冷的方式,自冷式制定可以當(dāng)做是假裝散熱的一種簡單方式,即使散熱效率比較低,同時(shí)具有簡單的結(jié)構(gòu)進(jìn)行可靠性的處理,一般比較適合20A以下器件或者簡單的裝置作為電流的器件,同時(shí)可以采用備風(fēng)機(jī)作為主要的散熱裝置,這種電流裝置能夠承載大量容量,操作起來比較復(fù)雜,噪聲比較大,在維護(hù)的過程中已經(jīng)嚴(yán)重阻礙了電流的流動(dòng)。

  在高溫的情況下,電力電子裝置由于散熱條件影響,導(dǎo)致電力出現(xiàn)不穩(wěn)定現(xiàn)象,會(huì)影響到裝置的運(yùn)行,甚至?xí)茐难b置,在我們仔細(xì)研究中,發(fā)現(xiàn)在溫度較低的環(huán)境下,功率開關(guān)器件會(huì)影響到通態(tài)阻的運(yùn)行,那么開關(guān)損耗也會(huì)出現(xiàn)減少,低溫更有利于熱量的散發(fā),所以整個(gè)裝置效率會(huì)受到嚴(yán)重影響,目前高溫超導(dǎo)體是低溫領(lǐng)域中比較常用的材料,低溫環(huán)境下低溫電子裝置具有特殊性。

  按照目前的情況來看,電力技術(shù)已經(jīng)逐漸延伸到各個(gè)領(lǐng)域當(dāng)中,很多低溫場所中能夠看到電力技術(shù)的身影,例如海洋中的地質(zhì)考核,需要對(duì)生物種群進(jìn)行研究,需要對(duì)石油勘探。這些工作環(huán)境一般會(huì)維持在零下80度到0度之間。有些工作場合電力電子設(shè)備各種科學(xué)考察儀器,在這種低溫情況下散熱相對(duì)比較好。

  4 結(jié)束語

  本文主要用三方面對(duì)極限溫度下的電力技術(shù)進(jìn)行全面分析,總的來說,電力技術(shù)所設(shè)計(jì)到的領(lǐng)域相對(duì)比較廣泛,在這里我們只能簡單的說出一些所涉及到的內(nèi)容,目前開始向高海拔以及外太空進(jìn)行拓展。在這種極端的環(huán)境下,高溫和低溫會(huì)對(duì)電力系統(tǒng)產(chǎn)生很大的影響。所以為了進(jìn)一步拓展人類生存空間,我們需要了解功率器件,對(duì)電力電子電路和控制方法進(jìn)行全面研究。

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